(1) 深槽结构终端（deep trench termination） 原理：通过刻蚀深槽并填充多晶硅或介质，形成垂直方向的电场屏蔽，实现电场的二维优化。 设计要点： 沟槽深度、宽度及填充材料影响电场. 半导体刻蚀工艺的优缺点是什么？ via first、trench first、partical via first、partical trench first工艺的优缺点？ 显示全部 关注者 2 被浏览 都是一些无良的推荐，上面问可以下载ed2k的软件，你们回答问题之前都试了吗？推荐 bitcomet 比特彗星、 motrix 、 qbittorrent 、 utorrent 、bitcomet，文件蜈蚣，fdm？都是bt和磁力链.
Trench Buddy 2020 Outdoor Strain of the Year
平面型igbt（planar igbt）和沟槽型igbt（trench igbt）是两种不同的igbt结构。 区别如下： 1. 知乎，中文互联网高质量的问答社区和创作者聚集的原创内容平台，于 2011 年 1 月正式上线，以「让人们更好的分享知识、经验和见解，找到自己的解答」为品牌使命。知乎凭借认真、专业. 一体化刻蚀技术是将通孔刻蚀（via etch）、光刻胶灰化（pr strip）和沟槽刻蚀（trench etch）进行结合，在一道工艺中实现，从而大大节约了工艺时间和成本。 下面展示的是原本的via first.
